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BZX84C18Q与MP2315GJ-Z升降压芯片的特性

时间:2022-07-27 预览:881

BZX84C18Q与MP2315GJ-Z升降压芯片的特性

2014年的9月囯家推出”大基金”,可以比喻为是个导火索,它点燃中国半导体业前进的航船。此次大基金的推出不但是邦助企业解决融资难的困境,更为重要的是中国开始改变过去的陈旧思维,而采用市场经济的模式来运作。它的一个明显的标志是试图用兼并的方法来迅速壮大自己,如紫光等频频出手,让多个国家,包括台湾地区开始引起警惕。充分反映此次中国半导体业不再是如过去那样,闭门造车,走低效率的投资模式。

一、BZX84C18Q升降压芯片的特性

• 350mW表面安装齐纳二极管

• VF 0.9V

• pd   300-350 Mw

• VZ@IZT 18

• Izt 5.0mA

• IR  0.1uA   @ VR  12.6V

二、MP2315GJ-Z升降压芯片的特性

该 MP2315 是一种内置在内部功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关模式转换器。它提供了一个非常紧凑的解决方案,以实现 3A 连续输出电流在一个宽的输入电源范围内具有良好的负载和线路调节。