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BZX84C10Q与MP2233DJ-LF-Z升降压芯片的特性

时间:2022-07-28 预览:994

BZX84C10Q与MP2233DJ-LF-Z升降压芯片的特性

受限于产品的功耗体积等因素的困挠,智能手机芯片厂商在采用先进工艺方面表现得极为积极,14/16纳米智能手机SoC面世,如骁龙820、骁龙625、SC9860等,仍然属于旗舰级手机的顶端配置,相关业者就已经在考虑10纳米工艺的工作了。

先进工艺正在成为智能手机芯片厂商比拼自身实力的阵地,只要能够挤入门槛的玩家都在不断推出采用最先进工艺的产品。在14/16纳米节点之后,10纳米显然成为几家智能手机芯片企业下一波的竞争焦点。

一、BZX84C10Q升降压芯片的特性

• 350mW齐纳二极管

• VF 0.9V

• VZ @ IZT  10V

• ZZT @ IZT  20Ω 

• IR 0.2µA 

• VR 7.0V

二、MP2233DJ-LF-Z升降压芯片的特性

MP2233 在输出电流负载范围内采用同步工作模式以达到高效率。其电流控制模式提供了快速瞬态响应,并使环路更易稳定。全方位保护功能包括过流保护、过温关断保护和外部软启动控制。MP2233 最大限度地减少了现有标准外部元器件的使用,采用节省空间的 8引脚TSOT23 封装。