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1N4148WSQ与MP2162GQH-Z升降压芯片的特性

时间:2022-07-28 预览:876

1N4148WSQ与MP2162GQH-Z升降压芯片的特性

随着先进制程的演进,主流手机芯片厂商对先进节点的持续不懈跟进,对整个产业链也将形成更大挑战。先进工艺节点的NRE费用(一次性工程费用)急剧攀升,只有通过扩大销量才能分摊前期成本。有估计认为,研发一颗16纳米的芯片需要投入15亿美元,必须销售3000万颗才能收回成本。除此之外,受限于工艺,技术挑战将越来越大,芯片设计团队必须对芯片制造过程有深入的了解,要求芯片设计与制造与IP等厂商紧密结合,这也将拉高设计成本。

一、1N4148WSQ升降压芯片的特性

• VRM 100 V

• VRRM VRWM VR/ 75 V

• VR(RMS) 53 V

• IFM 300 mA

• IO 150 mA

• IFSM  @ t = 1.0µs 2.0A @ t = 1.0s 1.0 A

二、MP2162GQH-Z升降压芯片的特性

MP2162 是一款内置功率 MOSFET 的单片降压开关变换器。在 2.5V 至 6V 输入电压范围内,它可以实现 2A 的连续输出电流,且具有出色的负载和线性调整率。其输出电压可调节低至 0.6V。